Лаборатория разработки мощных полупроводниковых лазеров в спектральном диапазоне 850-950нм
Все регионы, Санкт-Петербург
Сотрудники лаборатории будут разрабатывать физические и технологические подходы, направленные на создание высокоэффективных источников мощного лазерного излучения нс-длительностей, основанных на интеграции функций сильноточного ключа и лазерного излучателя на основе полупроводниковых гетероструктур.
Полученные решения позволят создать новый класс интегральных компактных и эффективных источников мощного импульсного лазерного излучения, которые впоследствии могут быть использованы для широкого спектра практических приложений