Разработка поможет создать более быстрые и энергоэффективные ультракомпактные процессоры для нейроморфных вычислений, подчеркнули в пресс-службе Российского научного фонда
Мемристоры долгое время существовали лишь в теории. Их практическая реализация стала возможной только в 2008 году с развитием технологий получения сверхчистых полупроводниковых материалов. Мемристор изменяет свое сопротивление в зависимости от величины и направления протекающего через него тока, и его можно использовать для хранения информации или ее энергоэффективной обработки, ведь они потребляют меньше энергии, чем обычные кремниевые транзисторы. Эти свойства можно использовать для создания энергоэффективных систем хранения и обработки информации, включая нейроморфные вычисления, обработку сигналов в системах ИИ, машинного зрения, акустико-речевых системах и биоинтерфейсах.
Перспективными материалами для создания новой микроэлектроники, в том числе мемристоров, сегодня выступают перовскиты. Однако перовскитные мемристоры оставались не совсем подходящими для реальных применений из-за их нестабильности. Проблема кроется в структуре самих материалов: используемые многими учеными поликристаллические пленки перовскитов имеют границы между кристаллитами. Через эти границы не только проникают влага и кислород, вызывая химическую деградацию перовскита, но и происходит неконтролируемая миграция ионов металлов из электродов. Это приводит к невоспроизводимому переключению состояния мемристора при одинаковом напряжении.
Это один из самых химически стойких перовскитов на основе галогенида свинца. Также монокристаллическая структура нанокуба обеспечивает стабилизацию электрохимических свойств элементов от цикла к циклу. Сам монокуб перовскита располагается между оксидом индия олова и алмазом, легированным бором. Это химически инертные электроды, которые также обеспечивают устойчивость переключения мемристора.
При этом исследователям удалось достичь одних из самых низких значений энергопотребления и размера перовскитного мемристора — 70–80 нановатт для монокристалла размером 130–160 нанометров. Другие подобные перовскитные устройства тратят от 200 до 35 тысяч нановатт. Эти параметры делают разработку очень компактной и энергоэффективной. Также мемристор переключается менее чем за одну миллисекунду, а разница в амплитуде тока составляет около 4–5 порядков, что делает устройство удобным и быстрым для обработки сигнала.
Разработка позволит сделать более быстрые и энергоэффективные ультракомпактные нейроморфные процессоры для задач искусственного интеллекта и машинного обучения. Кроме того, такие одиночные мемристоры можно легко собирать в масштабируемые схемы (кроссбары) для практической реализации логики и коммутации отдельных полупроводников. В дальнейшем ученые планируют провести эксперименты на массиве монокристаллических нанокубов перовскита и протестировать другие материалы в качестве полупроводников.
Исследование, поддержанное грантом Российского научного фонда и программой «Приоритет 2030», опубликовано в журнале Opto-Electronic Advances.