Отечественный литограф для производства микросхем нового поколения разрабатывают ученые Института физики микроструктур (ИФМ) РАН, сообщил заведующий отделом многослойной рентгеновской оптики Института физики микроструктур (ИФМ) РАН Николай Чхало на научном семинаре в Национальном центре физики и математики (НЦФМ), посвященном EUV-литографии и перспективам создания отечественного EUV-литографа для микроэлектроники.
«Нами предложен проект высокопроизводительного рентгеновского литографа для производства микросхем по передовым технологическим нормам на основе источника излучения с длиной волны 11,2 нм. У нас есть экспериментальные результаты, указывающие на перспективы создания такого источника излучения на основе ксенона. Под него была разработана оптика с высоким коэффициентом отражения – рутениево-бериллиевые зеркала. В составе зеркальной оптической схемы литографа она будет примерно в 1,5 раза эффективнее того, что создано в зарубежных компаниях», – сказал он.
Как уточнил Чхало, ученые рассчитывают завершить проект к 2030 году. На первом этапе – с 2023 по 2024 год – после доработки необходимых критических технологий, планируется создать альфа-литограф, который станет прототипом для отработки операций всего технологического цикла. Реализация всего проекта позволит наладить в России производство литографов, необходимых компонентов и систем для отечественных фабрик производства микросхем.
Литография – технология переноса рисунка с шаблона на конкретную поверхность, широко используется в микроэлектронике и других видах микротехнологий, а также в производстве печатных плат. Литографическое оборудование – один из важных элементов в создании передовых технологий для полупроводниковой индустрии. На сегодняшний день нидерландская компания ASML является монополистом в производстве оборудования для ЭУФ литографии, владеет технологией и системами, способными давать излучение с длиной волн 13,5 нм (EUV). EUV – экстремальный ультрафиолет, относится к длине волны света.
В настоящее время наиболее широко используется глубокий ультрафиолет (Deep Ultraviolet (DUV)) с длиной волны 248 и 193 нм, но это оборудование уже относится к предыдущему поколению – в новом поколении применяется EUV.
По словам научного руководителя НЦФМ, академика РАН Александра Сергеева, инициатива проведения семинара исходила от обучающихся в Центре магистрантов. «Тема первого семинара выбрана не случайно. У нас учится много ребят, лазерщиков и плазменщиков, проходят занятия по лазерно-плазменной тематике, которая, на мой взгляд, является сегодня одной из определяющих в технологическом развитии – любые достижения или изменения в этой области оказывают существенное влияние на дальнейшие события в области развития науки и техники», – отметил он.
В ближайшее время в НЦФМ пройдут семинары по тематике атмосферного электричества и квантовых коммуникаций. Планируется, что каждая из десяти секций НЦФМ проведет семинары по направлениям исследований.
НЦФМ создана в Сарове по поручению Президента России Владимира Путина. Основные цели Национального центра – получение новых научных результатов мирового уровня, подготовка ученых высшей квалификации, воспитание новых научно-технологических лидеров, укрепление кадрового потенциала предприятий Госкорпорации «Росатом» и ключевых научных организаций России, повышение привлекательности российской науки для молодых ученых.
Учредители НЦФМ – Госкорпорация «Росатом», РАН, Министерство науки и высшего образования России, МГУ, НИЦ «Курчатовский институт», ОИЯИ и РФЯЦ – ВНИИЭФ.
.jpg)